- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7242 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
- Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
- Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
- Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
- Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
- Электропроводность сенсорных слоев диоксида олова модифицированной толщины