Разработка методов и средств контроля высокочистого синтетического корунда и технологических сред для его получения

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1 СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ, ПРОБЛЕМЫ И ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
1.1. Проблемы аналитического контроля чистоты
синтетического сапфира
1.2. Аналитический контроль чистоты некоторых
технологических сред микро оптоэлектроники
1.2.1. Типы и источники загрязнений некоторых технологических сред
1.3. Современное состояние, проблемы и основные
характеристики методов контроля высокочистых материалов
1.3.1. Сравнительные характеристики методов анализа высокочистых веществ
1.3.2. Методы массспектрального анализа
1.3.3. Методы атомной абсорбционной спектроскопии
1.3.4 Метод рентгенофлуоресцентного анализа
1.4. Электрохимические методы в контроле высокочистых
веществ
1.4.1 Инверсионная вольтамперометрия
1.4.2 Сравнительные характеристики методов
контроля чистоты материалов
Выводы и постановка задачи исследований
Глава
Глава З
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА, РАЗРАБОТКА И
ИССЛЕДОВАНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ СОДЕРЖАНИЯ РИМЕСЕЙ В СИНТЕТИЧЕСКОМ КОРУНДЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕДАХ
2.1. Теоретические основы метода инверсионной вольтамперометрии
2.1.1. Теория анапитичсского сигнала в методе ИВ
2.1.2. Параметрическая теория аналитического сигнала в методе ИВ
2.2. Теоретические основы метода рентгеноспектрального
анализа
2.3 Пробоподготовка высокочистого синтетического
корунда для анализа методом ИВ
2.3.1. Выбор оптимального способа пробоподготовки
2.3.2. Методы разложения анализируемых проб
2.3.3 Мокрые способы разложения
2.3.4 Сухие способы разложения
2.3.5 Исследования по выбору оптимального способа переведения в раствор проб синтетического корунда
Выводы к главе 2
РАЗРАБОТКА БЛОКА ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ЯЧЕЙКИ
ИВЕРСИОПНОВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЧИСТОТЫ СИНТЕТИЧЕСКОГО КОРУНДА И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕД
3.1. Аппаратурные особенности ИВ определения
3.1.1. Многоканальный аналитический комплекс СТА
3.1.2. Разработка измерительной ячейки СТАМ
3.1.3. Определение инструментальной погрешности измерения ячейки СТЛМ
3.1.4. Сравнительный анализ экспериментальных исследований
Выводы к главе 3
Глава 4 МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ МАССОВОЙ
КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСЕЙ ЦИНКА, КАДМИЯ,
СВИНЦА И МЕДИ В ВЫСОКОЧИСТЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕДАХ И СИНТЕТИЧЕСКОМ КОРУНДЕ
4.1. Исследование взаимного влияния металлов на
аналитический сигнал в методе ИВА
4.2. Выбор оптимальных условий определения цинка,
кадмия, свинца и меди
4.2.1. Выбор рабочего электрода
4.2.2. Выбор фонового электролита
4.2.3. Выбор потенциала электролиза
4.2.4 Выбор оптимального времени электролиза
4.3. Результаты опытнопромышленных испытаний методик
ИВ определения
4.3.1. Анализ технологических сред
4.3.2. Методика контроля чистоты азотной, соляной и 8 серной кислот
4.3.3. Методика контроля чистоты синтетического 9 корунда
4.4 Методические особенности определения примесей методом рентгенофлуоресцентного анализа сопоставительный анализ
4.4.1 Аналитическое оборудование
рентгенофлуоресцентный сканирующий
спектрометр УЯАЗО
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ