ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
1. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЫЕ СВЧ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
1.1. Нелинейные свойства и СВЧ потери в объемных и пленочных сегнетоэлектрических материалах.
1.2. СВЧ устройства на основе тонких сегнетоэлектрических
пленок.
Выводы по главе
2. МЕТОДИКА И РЕЗУЛЬТАТЫ СВЧ ИЗМЕРЕНИЙ ПЛАНАРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК БгТОз и ВаДОТЮз
2.1. Методика измерений характеристик планарных сегнетоэлектрических конденсаторов
2.1.1. Конструкция измерительного резонатора.
2.1.2. Определение реактивного отклика планарного сегнето
электрического конденсатора, включенного в СВЧ резонатор
2.1.3. Определение тангенса угла диэлектрических потерь
2.1.4. Погрешности методики измерений
2.1.5. Эталонные измерения.
2.2. Планарные конденсаторы, содержащие тонкую сегнстоэлектрическую пленку.
2.3. Результаты СВЧ измерений параметров сегнетоэлектричсских планарных конденсаторов.
2.4. Параметр качества сегнетоэлектрической пленки
Выводы по главе.
3. МЕТОДИКА И РЕЗУЛЬТАТЫ СВЧ ИЗМЕРЕНИЙ ВРЕМЕНИ ОТКЛИКА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК БгТЮз и Ва,8гТЮ3 НА ВОЗДЕЙСТВИЕ УНИПОЛЯРНЫХ ИМПУЛЬСОВ НАПРЯЖЕНИЯ .
3.1. Методика СВЧ измерений времени отклика диэлектрической проницаемости тонких сегнетоэлектрических пленок на
управляющий видеоимпульс напряжения.
3.2. Конструкция измерительного резонатора и расчетные характеристики
3.3. Блоксхема измерений.
3.4. Результаты СВЧ измерений времени отклика планарных БгТОз и Ва,8гТЮз конденсаторов на импульсное воздействие.
Выводы по главе.
4. ИССЛЕДОВАНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО ПОВЕДЕНИЯ СЕГИЕТО
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ И УСТРОЙСТВ НА ИХ
ОСНОВЕ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ УРОВНЯХ МОЩНОСТИ СВЧ
4.1. Исследование нелинейного отклика сегнетоэлектрнческого конденсатора, включенного в резонатор, под действием электрического поля СВЧ повышенной амплитуды
4.1.1. СВЧ резонатор для исследования влияния уровня СВЧ мощности на характеристики планарных сегнетоэлектрических конденсаторов
4.1.2. Методика исследования нелинейного поведения сегнетоэлсктрических конденсаторов при повышенных уровнях
9 мощности СВЧ
4.1.3. Результаты исследований влияния повышенных уровней СВЧ на характеристики СВЧ резонатора, содержащего сегнетоэлектрический нелинейный элемент
4.1.4. Моделирование амплитудночастотной характеристики измерительного резонатора, содержащего нелинейный сегнетоэлектрический конденсатор.
4.1.5. Перегрев сегнетоэлектрических тонкопленочных элементов при воздействии СВЧ сигнала повышенного уровня
мощности
4.1.6. Предельные уровни СВЧ мощности для резонансной структуры, содержащей нелинейный сегнетоэлсктрический
конденсатор.
4.2. Исследование влияния повышенных уровней СВЧ мощности на двухрезонаторную структуру, содержащую планарные сегнетоэлектрические конденсаторы.
4.2.1. Топология исследуемой двухрезонаторной структуры, содержащей планарные сегнетоэлектрические конденсаторы
4.2.2. Исследования малосигнальных СВЧ характеристик
двухрезонаторной сегнстоэлектрической структуры.
4.2.3. Исследование СВЧ характеристик двухрезонаторной сегнетоэлсктричсской структеры при воздействии сигнала повышенного уровня СВЧ мощности
4.2.4. Результаты моделирования СВЧ характеристик двухрезонаторной структуры при воздействии сигнала повышенного уровня СВЧ мощности
4.2.5. Определение перегрева сегнетоэлектрических кондснса
торов в двухрезонаторной структуре.
Выводы по главе
5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЫЕ СВЧ ФАЗОВРАЩАТЕЛИ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК
5.1. Сегнетоэлектрический СВЧ фазовращатель на основе нагруженной микрополосковой линии сантиметрового диапазона
5.2. Сегнетоэлектрические СВЧ фазовращатели, работающие
на частотах ГГц
5.3. Электрически управляемая фазированная антенная решет
Ф ка с сегнетоэлектрическими СВЧ фазовращателями
5.4. Сегнетоэлектрический СВЧ фазовращатель работающий
на частоте ГГц.
Выводы по главе.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922