- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
2003
Артикул:
0403U000899 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Коливні спектри стекол As(Ge)xS100-x при варіації енергії збуджуючих фотонів та першопринципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge)nSm
- Вплив домішки олова на фізичні властивості широкозонних II-VI сполук
- Електричні та оптичні властивості кристалів Сu6PS5X (X= I, Br), композитів і твердих розчинів на їх основі
- Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках
- Перетворення енергії в широкозонних кристалах LiCaAlF6 і LiSrAlF6
- Оптичні властивості та електропровідність органічних напівпровідників на основі спряжених поліариленів
- Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку
- Температурно-часові ефекти у неспівмірній фазі кристалів тетраметиламін-тетерахлорметалатів
- ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОРМУВАННЯ СКЛАДУ ПОВЕРХНІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ.
- Ефекти вібронної взаємодії в багатокомпонентних галоїдних кристалах, активованих ртутеподібними іонами.