- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN.
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
2006
Артикул:
0406U000602 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs
- Формування полірованої поверхні монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в травильних композиціях HNO3 - HНal - комплексоутворювач для приладів електронної техніки
- Забезпечення міцності при термоударах електронних елементів, герметизованих ком-паундом
- Технології отримання оксидних монокристалів і елементів для лазерної, сцинтиляційної техніки і пристроїв оптичного запису інформації
- Отримання структур з квантовими ямами, гетероструктур та тонких плівок А4В6 та дослідження їх властивостей
- Прогнозування, діагностика, ідентифікація і надійність монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів із структурою n+-p-p+
- Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs.
- Елементи технології оптоелектронних приладів на основі нематичних та холестерико-нематичних рідкокристалічних сумішей
- Одержання і властивості кремнієвих композицій, модифікованих іонно-плазмовими обробками.
- Технологія створення електрохемілюмінесцентного мікрофлюїдного пристрою біомедичного призначення