- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Морфологія поверхні та оптичні властивості (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb наноструктур
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
2006
Артикул:
0406U001160 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Модифікація дефектної структури напівпровідникових сполук А2В6 та А3В5 високочастотним електромагнітним випромінюванням
- Оствальдівське дозрівання наноструктур в умовах дифузійно-вагнерівського механізму масопереносу
- Дослідження процесів релаксації та взаємодії електронів у мікроконтактах і кристалах вісмуту методом фокусування електронів провідності
- Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN
- Комп'ютерне моделювання структури, властивостей порового простору та водневої ємності нанопористого вуглецю
- Релаксація фотопроцесів в плівках органічних напівпровідників, сенсибілізованих фулеренами.
- ФОРМУВАННЯ ЕЛЕКТРОННОЇ СТРУКТУРИ ФАЗ ВИСОКОГО ТИСКУ І УЛЬТРАДИСПЕРСНИХ СИСТЕМ
- Дослідження структури і молекулярної рухливості в натоліті за формою спектру ЯМР
- Фізичні основи високотемпературної надпластичності
- Флуктуацiйна провiднiсть та псевдощiлина в високотемпературних надпровiдниках