- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Технологія напівпровідникових гетероструктур на основі органічних та неорганічних матеріалів для електрооптичних елементів мікроелектроніки
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
2008
Артикул:
0408U001167 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs
- Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs.
- Вплив активних обробок на процеси формування та властивості омічних та бар'єрних контактів до карбіду кремнію.
- Технологія матеріалів та товстоплівкових структур високої теплопровідності на основі с-ВN
- Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs
- Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощених методом Чохральського з рідинною герметизацією
- Технологічні методи керування структурою епітаксійних шарів і монокристалів GaAs
- Удосконалення технології вирощування зливків кремнію з рівномірним розподілом кисню
- Термофотовольтаїчні перетворювачі випромінювання високотемпературних технологічних процесів
- Технології отримання оксидних монокристалів і елементів для лазерної, сцинтиляційної техніки і пристроїв оптичного запису інформації