Оглавление
Введение
1 Адсорбция неметаллов на поверхности кремния
1.1 Введение
1.2 Формирование ПФ 81 3 х ч3ЛВ.
1.3 Взаимодействие атомов фосфора на 80
1.4 Адсорбция и диссоциация молекул триметилфосфина на 8 17x7 . . .
1.5 Атомное строение ПФ 80ас4 х 4В.
1.6 Основные результаты.
2 Сегрегация неметаллов вблизи поверхности кремния
2.1 Введение
2.2 Сегрегация бора на 81 кластерный подход.
2.3 Серегация бора на 81 зонный подход.
2.4 Сегрегация бора на 80 кластерный подход.
2.5 Сегрегация бора на 80 зонный подход.
2.6 Сегрегация фосфора на 80
2.7 Основные результаты.
3 Адсорбция металлов на поверхности кремния
3.1 Введение
3.2 Адсорбционная система А81 .
3 2.1 Электронная структура ПФ 813 х 3А1
3 2 2 Электронная структура ПФ 817 х 7Я 1А1.
3.2.3 7фаза А181
3.2.4 Процессы в атомной и электронной структуре
при смене ПФ в системе А181.
3.3 Поведение неупорядоченного моиослоя А1 на Б 02x1
3.4 Адсорбционная система Т180.
3.4.1 ПФ а2х2Т1.
3.4.2 ПФ 2х2Т1
3.4.3 ПФ 72х2Т1.
3.4.4 ПФ 2х1Т1 при комнатной и пониженной температурах.
3.4.5 Смена ПФ в системе Т180 и сопутствующие
процессы в атомной и электронной структуре
3.5 Адсорбционная система Аи81.
3.5.1 Адсорбция изолированных атомов Аи на 8
3.5.1.1 Электронная структура и спектры ФЭС.
3.5.2 Перемешивание на границе раздела Аи81
при монослойном покрытии Аи.
3.6 Основные результаты.
4 Электронная структура системы металлкремний
4.1 Введение.
4.2 Влияние атомного строения границы раздела
металлкремний на электронную структуру системы .
4.2.1 А181.
4.2.2 Аи81
4.2.2.1 Тонкая пленка Аи на Б 1
4.2.2.2 Силицидоподобное соединение Аи на 81
4.3 Влияние примеси на величину барьера Шоттки.
4.3 1 Легирование кремния в системе А181.
4.3.2 Управление величиной барьера Шогтки
при вторичном легировании кремния в системе i.
4.4 Основные результаты.
5 Туннельный ток в поверхностных системах
и наноразмерных контактах металл кремний
5.1 Введение
5.2 Моделирование спектров СТО ПФ i 3 х 3ЛВ.
5.3 Влияние взаимодействия иглаобразец на данные СТС
5.4 Туннельный ток в наноразмерном контакте iИ.
5.5 Основные результаты.
6 Атомная структура поверхности ТЮ20
при ненулевых температурах
6.1 Введение
6.2 Тестовые результаты для объемного диоксида титана
и поверхности ТЮ20 .
6.3 Поведение поверхности ТЮ20 при ненулевых температурах.
6.4 Атомная релаксация ступени на ТЮ20
6.5 Разрушение ступени па ТЮ20 при Т 0 К
6.6 Основные результаты.
Основные результаты и выводы
Приложение А. Примеси в объемном кремнии
на нанометровых расстояниях
А.1 Введение
А.2 Электронная структура системы с примесями разного типа
А 3 Электронная структура системы с примесями одного типа
Приложение Б. Методы расчета атомной
и электронной структуры твердых тел
Б.1 Введение.
Б.2 Неэмпирический подход
Б.2.1 Метод ХартриФока.
Б.2.2 Теория функционала электронной плотности
Б.2.3 Псевдопотенциалы в неэмииричсских методах
Б.2.4 Метод молекулярной динамики.
Б.2.5 Реализации неэмпирического подхода.
Б.2.5.1 Зонные методы .
Б.2.5.2 Кластерные методы
Б.2.6 Выбор параметров моделирования
при использовании неэмпирических методов.
Б.З Полуэмиирический подход
Б.4 Эмпирический подход
Литература
- Київ+380960830922