Оглавление
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. Вклад переходного излучения в формирование ПРИ вдоль скорости излучающего электрона
1.1. Амплитуда переходного излучения релятивистских электронов в кристалле в окрестности брэгговского резонанса.
1.2. Спектральноугловое распределение переходного излучения в случае тонкого непоглощающего кристалла.
1.3. Переходное излучение в толстом кристалле. Эффект аномального фотопоглощения в переходном излучении.
1.4. Вклад ПРИ
1.5. Выводы.
Глава 2. Конкуренция вкладов тормозного и параметрического
механизмов излучения в формирование выхода квазичеренковского излучения релятивистских электронов в кристалле.
2.1. Интенсивность когерентного рентгеновского излучения релятивистских электронов в неограниченном кристалле
2.2. Полный выход излучения из толстого поглощающего кристалла.
2.3. Свойства квазичеренковского излучения релятивистских электронов, пересекающих толстый кристалл.
2.4. Выводы.
Глава 3. Параметрическое рентгеновское излучение в условиях
проявления эффекта ВавиловаЧеренкова.
3.1. Амплитуда излучения релятивистского электрона
в кристалле.
3.2. ПРИ и дифрагированное черепковское излучение.
3.3. Результаты численного анализа
3.4. Выводы.
Глава 4. Особенности ПРИ в области малых углов ориентации
скорости излучающих электронов относительно отражающей кристаллографической плоскости
4.1. Спектральноугловое распределение ПРИ при скользящем падении электрона на отражающую кристаллографическую плоскость.
4.2. Асимметрия углового распределения ПРИ в области
малых углов ориентации
4.3. Эффект монохроматизации ПРИ
4.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список литерату
- Київ+380960830922