- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2005
Кількість сторінок:
107
Артикул:
6156 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Переключение и диэлектрическая релаксация в сегнетоэлектрических наноструктурах в форме пленок Ленгмюра-Блоджетт
- Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных Р3 ионами
- Самоорганизация радиационных пор в металлах
- Непроходящие лакокрасочные покрытия внешней поверхности космических аппаратов, стойкие к эффектам электризации
- Фазовые изменения на поверхности металлов и сплавов под воздействием низковольтных электрических разрядов
- Гамильтонова динамика магнитной жидкости
- Особенности релаксационных процессов в макроскопически неоднородных и аморфных материалах
- Оптические исследования фотонных кристаллов на основе синтетических опалов
- Микроконтактная спектроскопия низкоразмерных соединений с волной зарядовой плотности
- Реальная структура оксидных фаз типа шпинели и корунда