Ви є тут

Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310)

Автор: 
Якушев Максим Витальевич
Тип роботи: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік: 
2003
Кількість сторінок: 
152
Артикул:
6768
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1, Эпитаксия соединений АПВИ на подложках из .
Обзор литературы
1.1 Эпитаксия на подложках
1.2 Эпитаксия на подложках I
1.3 Гетеропитаксия широкозонных полупроводников
1.4 Диффузия в пленку АИВУ1 из подложки
Выводы к Главе 1
Глава 2. Методика эксперимента
2.1 Методика эпитаксиального роста
2.2 Методика определения состава
2.3 I i методы исследования при гетероэпитаксии соедине
НИИ VI
2.3.1 Дифракция электронов высокой энергии на отражение
2.3.1.1 Дифракция на вицинальных поверхностях
2.3.1.2 Дифракция на двойниках.
2.3.1.3 Дифракция на одномерных объектах
2.3.2 Эллипсометрические исследования роста соединений VI
i i
2.3.2.1 Оптические модели растущего слоя. Моделирование эволю
ции эллипсометрических параметров в процессе роста
2.2.2 Измерение температуры эллипсометрическим методом
Выводы к Главе 2
Глава 3. Влияние промежуточных соединений на структуру и состав гетероперехода Хп8еСаА2В.
3.1 Кристаллохимическое рассмотрение взаимодействия компо
центов гетеросистемы 2п8еОаАз
3.2 Экспериментальные результаты
3.2.1 Предэпитаксиальная подготовка
3.2.2 Рост пленок Еп8е
3.2.3 Влияние условий роста на морфологию поверхности
СКпТе2В.
3.3 Исследование гетероструктур ХгеваАзО В
3.3.1 Растровая электронная микроскопия гетеросистемы
В
3.3.2 Изучение состава гетероперехода 2п8еЛЗаАз 2В методом
3.4 Сравнение экспериментальных результатов с кристаллохимическим рассмотрением
Выводы к главе 3
Глава 4. Гетероэпитаксия СспТеСаА80.
4.1 Введение
4.2 Морфология поверхности 0
4.2.1 Предэпитаксиальная подготовка
4.2.2 Эпитаксия теллуридов цинка и кадмия
4.3 Внедрение ва в пленку из подложки при гетероэпитаксии
2пТеЛЗаА5ЗЮ
4.3.1 Эксперимент
4.3.2 Влияние условий роста на состав гетероструктуры
гпТеСаАз0
4.4 Кинетика начальных стадий роста пленок на подложках 0 и i0
4.4.1 Определение скорости роста и плотности пленок на начальных стадиях роста из эллипсометрических измерений i i
4.4.2 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии на 0
4.4.3 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии на
Выводы к Главе 4
Основные положения и результаты выводы
Заключение
Список цитированной литературы