- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Магнитные свойства систем однодоменных и квазиоднодоменных взаимодействующих частиц
- Эффекты когерентности и контролируемой квантовой интерференции в спектрах резонансной флуоресценции мессбауэровского излучения
- Диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектрических полимерных пленок
- Исследование самоорганизации наноструктур на поверхности меди
- Спектрально-кинетические исследования кристаллов со структурой перовскита, активированных редкоземельными ионами
- Физические свойства твердых растворов La2-xCaxNiO4+δ
- Исследование особенностей твердофазных реакций в двухслойных Al/Ni,Al/Fe,Al/Co,Al/Mn,Al/Fe2O3,Pt/Co,Dy/Co,Ni3N/SiO тонких пленках, проходящих в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза
- Флуктуационная теория роста кристаллов из расплавов и растворов
- Исследование равновесных характеристик полимерных цепей методом энтропического моделирования
- Дифракционное изучение планарных дефектов в мартенситных структурах