ВВЕДЕНИЕ.
1. СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ МАНГАНИТОВ ЛАН ГАНА.
1.1 Кристаллическая структура.
1.1.1. ЕаМпОз.
1.1.2. Твердыс растворы замещения.
1.2. Электронная структура.
1.2.1 Ионная модель.
1.2.2. Зонная модель
1.3 Магнитные свойства
1.3.1. Магнитная структура
1.3.1.1. ЬаМпОз
1.3.1.2 ЬаьхСахМпОз
1.3.1.3 Рг,хСахМпОз.
1.3.2. Температура Кюри.
1.3.3. Намагниченность
1.3.4. Магнитная восприимчивость. . .9. л. ..
1.3.5. Влияние давления и эффект магнитострикции.
1.3.6. Фазовые переходы, вызванные наложением
магнитного поля
1.3.7. Модели
1.3.7.1 Магнитные свойства слаболегированной области
0х0,3
1.4 Транспорт проводимость и магнетосопротивление.
1.4.1 Влияние степени легирования
1.4.2 Переходы, вызванные изменением температуры.
1.4.3. Магнетосопротивление.
1.4.4. Парамагнитная область
1.4.5. Эффект ЯнаТеллера.
1.5 Тонкие плнки.
1.5.1. Влияние размерного несоответствия параметров
решеток пленки и подложки
1.5.2. Вклад границ в транспорт, рост на бикристаыах.
1.6 Основные методы получения образцов
1.6.1. Керамика
1.6.2. Монокристаллы.
1.6.3. Тонкие пленки.
2. МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛНОК Ьао7Са, 8г0.3МпО3 НА РАЗЛИЧНЫХ ПОДЛОЖКАХ. МЕТОДИКИ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Метод приготовления мишеней для роста тонких пленок методом ионноплазменного распыления
2.2. Метод ионноплазменного распыления в системе сдвоенных катодов.
2.3. Методы исследования тонкопленочных образцов
3. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТОНКИХ ПЛНОК ЛЕГИРОВАННЫХ МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА
НА ИХ МАКРО И МИКРОСТРУКТУРУ
4. ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТОНКИХ ПЛНОК Ьа,.хСа, 8гхМп, х0,3.
5. ПОЛИКРИСТАЛЛЧЕСКИЕ ТОНКИЕ ПЛНКИ.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922