Оглавление
Введение
Глава 1. Взаимодействие проникающего излучения с веществом
1.1. Введение
1.2. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом.
1.3. Прохождение высокоэнергетических заряженных частиц через полупроводник.
1.4. Радиационное дефектообразование в полупроводниках
1.5. Типы радиационных дефектов и их влияние на физические свойства полупроводников и приборов.
1.6. Заключение
Глава 2. Применение выбранных методов исследования структуры и электрофизических свойств полупроводников и их информативность.
2.1 Ведение
2.2 Методика приготовления образцов из кремния и их облучения.
2.3 Методика оптического и рентгеноструктурного анализа полупроводников.
2.4 Измерение электрофизических характеристик
полупроводников.
2.5 Постановка задачи исследования
Глава 3. Экспериментальные исследования структуры и электрических свойств облученных полупроводников.
3.1. Структура и радиационные дефекты облученного кремния.
3.2. Исследование электрофизических свойств облученного кремния.
3.3. Влияние облучения на структуру слоистой системы из кремния и алюминия.
3.4. Заключение
Глава 4. Радиационное дефсктообразование и радиационная модификация полупроводниковых структур и приборов.
4.1. Введение
4.2. Распределение стабильных радиационных дефектов в кремнии при облучении пучком альфа частиц.
4.3. Исследование кинетики введения дефектов и их энергетического спектра в п и ркремнии при облучении альфачастицами и нейтронами.
4.4. Рекомбинация неосновных носителей заряда в п и р кремнии при облучении альфачастицами и нейтронами.
4.5. Влияние радиационных обработок на параметры кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем.
4.6. Заключение Общие выводы Литература
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922