- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
105
Артикул:
136579 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрические свойства биополимеров (биотканей) и раздельная регистрация составляющих импеданса
- Исследование магнитных поверхностей и напряженных структур методами спектроскопии поляризованных электронов
- Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия наноструктур на поверхности монокристалла меди
- Исследование поверхностей и границ раздела в металлах и сплавах
- Исследование структуры и магнитных свойств замещенных ферритов стронция W-типа, синтезированных с использованием криохимической технологии
- Модифицирование свойств поверхности низкоуглеродистой стали электрической дугой низкого давления
- Переключение и диэлектрическая релаксация в сегнетоэлектрических наноструктурах в форме пленок Ленгмюра-Блоджетт
- Магнитоплазменные возбуждения в GaAs/AlGaAs квантовых ямах и гетеропереходе ZnO/MgZnO
- Исследование особенностей контактного плавления в системах с твердыми растворами и интерметаллидами
- Формирование оптических и механических свойств кристаллических и аморфно-нанокристаллических материалов при селективной лазерной обработке нано- и микрообластей