СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1 ПРИБОРНОРЕАКТРОНЫЕ СРЕДЫ ЭНЕРГО И МАССООБМЕНА, ЧАСТОТНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ КОМПЛЕКСАМ . . .
1.1. Постановка задачи
1.2. Низкотемпературная плазма активатор
физико химических процессов.
1.3. Особенности основных плазмообразующих газов
1.4. Активации процессов в неравновесной плазме
1.5. Повышение технологической эффективности низкотемпературной плазмы при использовании электромагнитных колебаний с различными
частотноспектральными характеристиками.
1.6. Энергетические воздействия на низкотемпературную плазму детерминированного многочастотного колебания
типа меандр.
ГЛАВА 2 ОБОБЩЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ
ПРОЦЕСС МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ
2.1. Эквивалентные схемы замещения разряда
2.1.1. Трансформаторная электрическая эквивалентная
схема замещения индукционного разряда.
2.1.2. Электрическая эквивалентная схема замещения емкостного разряда
2.2. Обобщенное представление реакторных объемов
любой конфигурации методом цепных аналогий.
2.3. Аналитическая интерпретация модели обобщенного электроннотехнологического процесса как части
электротехнологического комплекса
Выводы . .
ГЛАВА 3 ВЧ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТЮТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
КОМПЛЕКСОВ И ИХ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА.
3.1. Источники питания на основе традиционных
ламповых генераторов.
3.2. Полигармонические ВЧ источники питания
3.3. Схемные методы оптимизации параметров
мощных генераторов
3.4. Работа генератора в режимах многочастотной детерминированной генерации и автоколебательного шумообразования.
3.5. Приборное обеспечение плазменных высокочастотных
электротехнологий.
3.5.1 Мошные приборы с сеточным управлением для промышленных целей. Анализ тенденций развития.
3.5.2. Сетевые магнетроны. Анализ тенденций развития . . . 4 Выводы
ГЛАВА 4 СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ
РЕЖИМОВ РАБОТЫ РЕАКТОРНЫХ СИСТЕМ ПЛАЗМОТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ.
4.1. Постановка задачи
4.1.1. Системы на базе объемных резонаторов СВЧ
4.1.2. Гибридные реакторные системы
4.1.3. Протяженные и дискретно распределенные
плазменные реакторы
4.2. Источники энергии ВЧ плазмотронов
4.2.1. Емкостные генераторы плазмы.
4.2.2. Индукционные генераторы плазмы
4.2.3. Гибридные генераторы плазмы.
4.2.4. Многоканальные генераторы плазмы
Выводы.
ГЛАВА 5. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И РЕАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННОФИЗИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОННОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ
5.1. Оптимизация процессов высокочастотной термин.
5.2. ВЧСВЧ плазмотермия, оптимизация методов
деструкции полимеров
5.2.1. Нагрев временной полимерной пленки.
5.2.2. Плазмохимическая реакция травления.
5.3. Высокочастотное возбуждение активной среды газовых
лазеров технологического назначения
5.3.1. Энергетическая модель активной среды лазера
5.3.2.Использование явления вторичной электронной эмиссии
при создании лазерной плазмы
5.3.3. Измерение ненасыщенного показателя усиления
газового лазера с ВЧ возбуждением.
5.3.4. Высокочастотные источники питания газовых лазеров технологического назначения.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922