Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів в реальних багатошарових структурах

ЗМІСТ
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. БАГАТОШАРОВІ СТРУКТУРИ З КВАНТОВИМИ ТОЧКАМИ ТА ДРОТАМИ: ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРНИХ ПЕРЕТВОРЕНЬ ТА ЇХ ХАРАКТЕРИЗАЦІЇ (ОГЛЯД)
Вступ
1. Просторова самоорганізація
1. Вплив ростових умов на впорядкування квантових точок
1. Вплив зовнішніх чинників на властивості багатошарових структур
1. Роль та місце високо
роздільної Х-променевої дифрактометрії в методах характеризації багатошарових структур
Висновки та постановка задачі
РОЗДІЛ 2. Х-ПРОМЕНЕВА ДИФРАКТОМЕТРІЯ БАГАТОШАРОВИХ СТРУКТУР
Вступ
2.1. Трьохвісна Х-променева дифрактометрія
2.2. Застосування високо
роздільної Х-променевої дифрактометрії для до слідження багатошарових структур
2.2. Напруги в епітаксійних шарах
2.2. Дифракція від періодичних об'єктів
2.2. Напруженi шари надграток: нахили площин, тераси, мозаїчний розподiл
2.2. Особливості дифракції за умов ковзного падіння на самоорганізованих нанорозмірних острівцях
2.3. Теоретичний розрахунок процесів розсіяння та автофітування кривих дифракційного відбиття
2.3.1. Метод матриць Абеле
2.3.2. Рівняння Такагі-Топена
2.3.3. Алгоритм матриці проходження (ТМА)
2.3.4. Алгоритм рекурсивних матриць (РМА)
2.3.5. Розрахунок Х-променевої дифракції від багатошарових латеральних кристалів довільної форми та хімічного складу по глибині структури
2.3.6. Автофітування кривих дифракційного відбиття
2.4. Область доступності в оберненому просторі
2.4.1. Формули для побудови області доступності
Висновки до
розділу
РОЗДІЛ 3. СТРУКТУРНІ ОСОБЛИВОСТІ НАНОРОЗМІРНИХ БАГАТОШАРОВИХ СТРУКТУР, ОТРИМАНИХ ПРИ РІЗНИХ УМОВАХ РОСТУ
3.1. Вплив латеральних модуляцій та компонентного складу на структурні переходи в InxGa-xAs/GaAs надгратках
3.2. Структурна анізотропія в InxGa-xAs/GaAs надгратках з ланцюгами квантових точок
3.3. Самоорганізація квантових точок в структурах, вирощених в різних молекулярних потоках. Просторова гратка
3.4. Х-променеві дослідження деформаційного стану гетероструктур InGaAsSbN/GaAs з квантовими ямами
Висновки до
розділу
РОЗДІЛ 4. ЗОВНІШНІ ВПЛИВИ НА СТРУКТУРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ
БАГАТОШАРОВИХ СТРУКТУР
4.1. Вплив радіуса кривизни багатошарових наноструктур на дифракцію Х-променів
4.2. Термічно-стимульована модифікація структурних властивостей впорядкованих InGaAs/GaAs надграток
4.3. Вплив температури росту і наступного термовідпалу на деформаційні та структурні характеристики БШС. Дислокації в шарах з квантовими точками
Висновки до
розділу
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ
СПИСОК