- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
- Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Явления электронного переноса при низких температурах
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике ?-Fe2 O3
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
- Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводниках Пайерлсовского типа