СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Фазовые диаграммы и электрические и физические свойства серы, сульфидов и селенидов кадмия и цинка при высоких давлениях.
1.1. Электрические свойства серы при высоких давлениях
1.2. Кристаллические структуры соединений СЖ, СсЯе, 2п8е.
1.3. Электрические свойства СЖ при высоких давлениях
1.4. Электрические свойства н5, при высоких давлениях.,
1.5. Электрические свойства Сс1йе при высоких давлениях.
1.6. Электрические свойства 2Же при высоких давлениях.
Заключение к главе 1
Глава 2. Применение метода полного комплексного сопротивления для исследования электрофизических свойств материалов в алмазных
камерах высокого давления закругленный конус плоскость
2.1. Получение высоких давлений с помощью алмазных наковален
2.2. Метод импедансной спектроскопии
2.3. Экспериментальная установка и учет влияния камеры высокого
давления на исследуемый импеданс ячейки с образцом
Заключение к главе 2
Глава 3. Полное комплексное сопротивление серы при давлениях
ГПа на частотах переменного тока 1 Гц 0 кГц.
3.1. Годографы импеданса серы при давлениях ГПа
на частотах переменного тока 1 Гц 0 кГц.
3.2. Диэлектрические потери в сере при высоких давлениях
3.3. Связь особенностей годографов импеданса
с известными фазовыми превращениями в сере
Выводы к главе 3
Глава 4. Применение импедансной спектроскопии для изучения электрофизических свойств 2а5 СЖ, СЖ, 7.пЗе
при высоких давлениях.
4.1. Годофафы импеданса при давлениях ГПа
на частотах переменного тока 1 Гц 0 кГц.
4.2. Годографы импеданса СсБ при давлениях ГПа
на частотах переменного тока 1 Гц 0 кГц.
4.3. Годофафы импеданса 7пЗс при давлениях ГПа
на частотах переменного тока 1 Гц 0 кГц.
4.4. Годографы импеданса СЫБе при давлениях ГПа
на частотах переменного тока 1 Гц 0 кГ ц
4.5. Общие закономерности поведения сульфидов и селенидов
кадмия и цинка при высоких давлениях.
Выводы к главе 4.
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922