Введение
Глава 1. Экспериментальная техника и методика
фотоэлектронной спектроскопии.
1.1. Физические принципы метода фотоэлектронной спектроскопии
1.2. Принцип действия и конструктивные особенности электростатических фотоэлектронных спектрометров
1.2.1. Энергоанализатор.
1.2.2. Вакуумная система фотоэлектронных спектрометров.
1.2.3. Технологические приставки для обработки поверхности
образца в вакууме
1.2.4. Технические характеристики фотоэлектронных спектрометров, используемых в настоящее время.
1.3. Фотоэлектронный спектрометр ЭС
1.4. Заключение.
Глава 2. Разработка систем и устройств для расширения
экспериментальных возможностей спектрометра.
2.1. Вакуумная система спектрометра с системой напуска газов.
2.1.1 Исходные данные для проектирования вакуумной системы.
2.1.2. Выбор насосов
2.1.2.1. Выбор высоковакуумного насоса.
2.1.2.2. Выбор форвакуумного насоса
2.1.3. Разработка блоксхемы вакуумной системы
2.1.4. Расчет вакуумных магистралей.
2.1.4.1. Расчет магистрали ТМН КГ1 натекатель.
2.1.4.2. Расчет высоковакуумной магистрали ТМН ЭА
2.1.4.3. Расчет магистрали Камера ЭА НМД
2.1.4.4. Расчет магистрали ТМНсистема напуска газов
2.1.4.5. Расчет магистрали ТМН Шлюзовая камера
2.1.4.6. Расчет форбаллона.
2.1.4.7. Расчет форвакуумной магистрали
2.1.5. Конструкция разработанной вакуумной системы.
2.1.5.1. Вакуумные магистрали
2.1.5.1. Шлюзовое устройство с реечным механизмом
перемещения образца.
2.1.5.3 Шлюзовое устройство с механизмом
перемещения образцов на постоянных магнитах.
2.2. Технологические приставки в вакуумных камерах.
2.2.1. Устройство механической чистки поверхности.
2.2.1.1. Расчет напряженных состояний резца и упора
2.2.1.2. Конструкция устройство механической чистки
поверхности образца.
2.2.2. Устройства для контролируемого нагрева образца в камере
подготовки спектрометра
2.2.2.1. Расчет температурного поля образце держателя образца
2.2.2.2. Устройство электронного нагрева образца в
вакууме с контролем температуры поверхности.
2.2.2.3.Устройство индукционного нагрева образца в газовой
среде с контролем температуры поверхности.
2.2.4. Расширение диапазона возбуждающего излучения
2.3. Заключение
Г лава 3. Апробация экспериментальных возможностей
модернизированного спектрометра ЭС.
3.1. Использование технологических приставок
для проведения рентгеноэлектронных исследований в материаловедении
3.1.1. Методики проведения исследований.
3.1.2. Адсорбция кислорода на поверхности меди.
3.1.3. Исследование электронной структуры высокотемпературных
сверхпроводников
3.1.4. Формирование оксидного слоя на поверхности монокристалла
никеля при нагреве кислороде
3.1.5. Термостимулированные процессы в поверхностных слоях
металлов и сплавов в вакууме.
3.1.6. Термостимулированные процессы в оксидных слоях на 4 поверхности переходных металлов и многокомпонентных
сплавов
3.1.7. Формирование поверхностного слоя свинцовосиликатных
стекол при нагреве в водороде
3.2. Моделирование процессов формирования поверхностного
слоя рабочих стенок каналов микроканальных пластин на последовательных стадиях изготовления
3.2.1. Состав поверхности стекла МКО, сформированный на стадии 0 удаления растворимого стекла, спеченного с матрицей
3.2.2. Полировка поверхности стекол 6Ва4 и МКО с использованием 4 воды и глицерина в качестве полировальных жидкостей
3.2.3. Восстановление стекла 6Ва4 при нагреве в водороде
3.3. Исследования тонких алюминиевых пленок, полученных
магнетронным распылением.
3.3.1. Влияние материала мишени и режимов работы
магнетронной системы на качество алюминиевых пленок
3.3.2. Влияние состава остаточной атмосферы на состав и
строение тонких алюминиевых пленок на силикатных стеклах.
3.4. Заключение
4. Основные результаты и выводы.
Литература
- Київ+380960830922