- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452755 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников