Ви є тут

Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения

Автор: 

Пащенко Александр Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005495100

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние энергии плоских дефектов и фазового перехода Al?Ll2 на характеристики зернограничного ансамбля ГЦК твердых растворов на основе Ni, Cu и Pd
• Топологические свойства и симметрия сверхпроводящего параметра порядка при кулоновском спаривании с большим импульсом
• Поверхностные процессы при формировании плотных массивов и одиночных наноструктур германия и кремния
• Метод времени пролета и нейтронные исследования конденсированных сред с использованием импульсного магнитного поля
• Изменения структуры и свойств границ зерен при взаимодействии с дислокациями
• Влияние микролегирования меди иттрием на эффекты заколочного и деформационного упрочнения
• Нейтронографическое исследование основных магнитных состояний разбавленных литиевых феррошпинелей
• Синтез нанокристаллических оксидных пленок никеля и олова методом импульсной фотонной обработки
• Теория структурных фазовых переходов с несколькими параметрами порядка в кристаллах с октаэдрической анионной подрешеткой
• Фотохромные центры окраски в кристаллах щелочноземельных фторидов, активированных трехвалентными ионами