Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз
• К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах
• Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
• Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана
• Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом
• Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
• Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
• Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
• Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
• Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией