Ви є тут

Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур

Автор: 

Чайка Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000207912

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната
• Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
• Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
• Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
• Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
• Метод расчета и моделирования функциональных схем
• Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута