Ви є тут

Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур

Автор: 

Чайка Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000207912

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
• Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
• Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
• Акустическая микроскопия твердотельных структур
• Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
• Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
• Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
• Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова
• Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
• Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур