- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005444964 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
- Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
- Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111)
- Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
- Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия