- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига
Тип роботи:
Докторская
Рік:
1998
Артикул:
1000211601 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
- Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
- Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
- Модифікація оптико-спектральних властивостей кристалів солей Туттона та триметиламінтрихлоркадміду ізоморфними домішками та іонізуючим випромінюванням
- Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров
- Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах
- Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
- Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле
- Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии