Ви є тут

Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов

Автор: 

Лакалин Александр Вячеславович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000217630

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
• Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
• Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
• Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
• Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
• Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
• Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
• Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
• Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe