Ви є тут

Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2

Автор: 

Малявка Лариса Васильевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000221545

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Коллективные явления в суперионных проводниках
• Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
• Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
• Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
• Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
• Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
• Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра
• Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
• Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии
• Новые аллотропные формы кремния : Получение и свойства