- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005499111 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева
- Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария
- Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
- Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex
- Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
- Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5
- Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов
- Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
- Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
- Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков