Ви є тут

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации

Автор: 

Шашкин Илья Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005499111

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAs
• Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции
• Неизотермические процессы в системах на основе кремния
• Экситонная спектроскопия гетероструктур на основе широкозонных II-VI полупроводников
• Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
• Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
• Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
• Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
• Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов