Ви є тут

Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца

Автор: 

Бондоков Роберт Цветанов

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000217939

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
• Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
• Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела
• Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
• Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний
• Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
• Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN