Ви є тут

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

Автор: 

Емельянова Татьяна Геннадьевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197549

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
• Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии
• Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
• Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x
• Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
• Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
• Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
• Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
• Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP2 , In x Ga1-x As и GaAs1-x Sb x
• Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs