- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла
Тип роботи:
Дис. канд. хим. наук
Рік:
2003
Артикул:
506669 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Экспериментальное исследование и разработка методов прогноза вязкостных и диффузионных свойств органических веществ
- Закономерности ионной и молекулярной сублимации поли- и монокристаллов A^I B^VII, A^II B_2^VII, A_x^II B_y^III,IV
- Некоторые свойства гетерофазных композиций полиэтилен-люминофор на основе соединений европия
- Физико-химические закономерности изменчивости пероксидазы льна а динамике раннего развития
- Теоретическое описание структуры и гиперполяризуемости клозо-боранов и карборанов
- Физико-химические основы процессов извлечения неопентилгликоля из водно-органических смесей
- Термодинамика изомеризации некоторых алкил- и ариладамантанов
- Равновесные состояния органических электролитов в бинарном дифференцирующем растворителе ацетонитрил - диметилсульфоксид
- Пространственная структура и конформационное состояние малых биологически активных молекул в растворах по данным одно- и двумерной спектроскопии ЯМР
- Формирование и свойства высокоселективных электродных систем на основе диоксида марганца