- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла
Тип роботи:
Дис. канд. хим. наук
Рік:
2003
Артикул:
506669 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства
- Электронная структура и химическая связь в сложных тетрагональных кристаллах А23 В52
- Электронное строение соединений элементов III-IV групп с расширенной координацией по данным рентгенодифракционных исследований и квантово-химических расчетов
- Химическая термодинамика процессов изомеризации неконденсированных аренов и циклоалканов
- Кислотно-каталитические превращения углеводов в присутствии спиртов при умеренных температурах
- Сублимационные свойства молекулярных кристаллов и сольватационные характеристики некоторых представителей группы нестероидных противовоспалительных средств
- Высоковольтная электропроводность твердых и расплавленных электролитов AgI,CuX(X=Cl,Br,I) и двойных солей на их основе
- Коррозия алюминиево-литиевых сплавов, легированных щелочноземельными металлами
- Физикохимия метастабильных состояний в оксидных висмутсодержащих системах
- Исследование ассоциации ионов сильных электролитов в водных растворах методом капиллярного электрофореза