ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ПУБЛИКАЦИЙ ПО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ СВОЙСТВАМ, ХАРАКТЕРИСТИКАМ И ПАРАМЕТРАМ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ СВЕТОДИОДОВ.
1.1. Свойства, параметры и характеристики исходных полупроводниковых материалов
1.1.1. Основные параметры нитрида галлия
1.1.2. Основные параметры нитрида индия.
1.1.3. Основные параметры нитрида алюминия
1.1.4. Основные параметры трехкомпонентных растворов на основе соединений СаР и 1пР
1.2. Конструктивнотехнологические параметры высокоэффективных светодиодных структур.
1.3. Электрофизические характеристики и параметры высокоэффективных светодиодов
1.4 Механизмы рекомбинации и спектры электролюминесценции
светодиодов с квантовыми ямами .
1.5. Влияние термополевых воздействий на параметры и характеристики высокоэффективных светодиодов.
Выводы по обзору материалов публикаций
ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКОЕ И АППАРАТУРНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ СВЕТОДИОДОВ
2.1. Метод измерения распределения концентрации зарядовых центров в области изменения объемного заряда рп перехода и устройство для его реализации.
2.2. Методы измерения вольтамперных и люменамперных зависимостей и устройство для их реализации.
2.2.1. Измерение вольтамперных зависимостей
2.2.2. Измерение характеристик электролюминесценции.
Выводы к главе 2
ГЛАВА 3. АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЗАРЯДОВЫХ ЦЕНТРОВ В ОБЛАСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ АСаЧпСаГ и АпСаР С
КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
3.1. Виды распределений концентрации зарядовых центров в светодиодных структурах ЛI и АПпСаР с квантовыми ямами.
3.2. Нестабильность распределения концентрации зарядовых центров.
3.3. Образование скрытых инверсных слоев в эпитаксиальных
структурах светодиодов
Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. МЕХАНИЗМЫ ПРОТЕКАНИЯ ТОКА В СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ С КОМПЕНСИРОВАННЫМ СЛОЕМ
4.1. Вольтамперные зависимости гомопереходов и гетеропереходов
4.2. Модель механизма протекания тока в режиме его ограничения последовательным сопротивлением, образующимся в компенсированном слое.
4.3. Механизмы возникновения избыточных токов безизлучателыюй
рекомбинации
Выводы к главе 4
ГЛАВА 5. КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ СВЕТОДИОДОВ
С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР
моатпвауол и анпр
5.1. Анализ причин спада квантовой эффективности светодиодных
структур с компенсированным слоем.
5.2. Изменение характеристик светодиодов при длительном протекании прямого тока в режиме ограничения его последовательным
сопротивлением компенсированного слоя.
Выводы к главе 5.
ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ.
СПИСОК ЦИТИРУЕМЫХ РАБОТ.
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность
- Київ+380960830922