Введение
Глава первая. Модели токораспределения и теплоэлектрических процессов в полупроводниковых изделиях.
1.1 .Теплоперенос и термогенерация в полупроводниковых изделиях
1.1.1. Теплоперенос в конструкциях полупроводниковых изделий
1.1.2. Процессы термогенерации в приборных структурах
1.1.3. Токораспределение в базовых приборных структурах
1.2. Теплоэлектрические модели полупроводниковых изделий
1.2.1. Линейные тепловые модели.
1.2.2. Нелинейные теплоэлектрические модели.
1.2.3. Тепловая неустойчивость токораспределения
1.2.4. Предельные режимы работы полупроводниковых изделий
1.2.5. Тепловые модели полупроводниковых изделий с дефектами
1.3. Обобщенная аналитическая модель токораспределения
1.4. Квазилинейная модель локальной тепловой обратной связи.
1.4.1. Самосогласованный тсплоэлектрический режим.
1.4.2. Температурные поля в структурах с неоднородностями
1.5. Квазилинейная тепловая модель с поперечным теплопереносом
1.6. Выводы.
Глава вторая. Неизотермическое токораспределение в бездефектных приборных структурах.
2.1. Токораспределение в биполярных гребенчатых структурах
2.1.1. Модель и исходная система уравнений
2.1.2. Изотермическое приближение
2.1.3. Приближение локальной тепловой обратной связи
2.1.4. Экспериментальная проверка аналитических моделей
2.1.5. Выравнивание и повышение устойчивости токораспределения
2.2. Эффект оттеснения эмиттерного тока в биполярных структурах
2.2.1. Структуры с круглым эмиттером
2.2.2. Влияние лавинного умножении в коллекторном переходе
2.2.3. Гребенчатые структуры с длинными дорожками.
2.3. Токораспределение в полевых транзисторах.
2.4. Токораспределение в термисторных структурах
2.4.1. Термисторы цилиндрической конструкции.
2.4.2. Термисторы бусинковой конструкции.
2.5. Неизотермическос токораспределение в диодных структурах
2.6. Выводы
Глава третья. Аналитические модели тсилоэлсктрических
процессов в полупроводниковых изделиях с дефектами.
3.1. Квазистационарный теплоэлекгрический режим
3.1.1. Приближение локальной тепловой обратной связи.
3.1.2. Оценка влияния поперечного теплопереноса
3.2. Переходные тепловые процессы в структурах с дефектами.
3.2.1. Нагрев импульсной мощностью.
3.2.2. Нагрев линейно нарастающей мощностью
3.2.3. Нагрев периодической мощностью
3.3. Тепловые процессы в многоэлементных структурах
3.4. Тепловые процессы в симметричных транзисторных структурах
3.4.1. Модель и основные уравнения.
3.4.2. Влияние температуры на устойчивость токораспределения
3.4.3. Особенности теплоэлектрических процессов в гребенчатых структурах с неоднородностями
3.5. Выводы
Глава четвертая. Методы и средства измерения теплофизических характеристик полупроводниковых изделий
4.1. Задачи и пути совершенствования методов и средств измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий
4.1.1. Анализ современных косвенных методов и средств измерения температуры в приборных структурах.
4.1.2. Принципы и особенности измерения тепловых характеристик полупроводниковых изделий в непрерывном режиме
4.2. Измерение тепловых параметров полупроводниковых изделий с применением гармонического закона изменения мощности.
4.2.1. Отклик температуры на гармоническую греющую мощность
4.2.2. Преобразование теплового импеданса двухполюсников
4.2.3. Измерение теплового импеданса стабилитронов.
4.2.4. Измерение теплового импеданса двухполюсников
с симметричной ВАХ.
4.2.5. Измерение теплового импеданса биполярных транзисторов.
4.3. Применение комбинации гармонической и линейно изменяющейся греющей мощности для измерения теплоэлектрических характеристик
4.4. Измерение теплофизических характеристик полупроводниковых изделий с применением импульсномодулированной греющей мощности
4.4.1. Измерение тепловых параметров диодов.
4.4.2. Измерение тепловых параметров биполярных транзисторов
4.4.3. Методы и средства измерения тепловых параметров ЦИС
4.4.4. Метод температурных волн для диагностики ЦИС
4.5. Измерение теплофизических характеристик полупроводниковых изделий методом сравнения
4.5.1. Измерение теплового сопротивления двухполюсников
4.5.2. Измерение теплового сопротивления биполярных транзисторов.
4.5.3. Измерение теплового сопротивления МДП транзисторов
4.6. Измерение параметров тепловой неустойчивости токораспределения
в мощных биполярных транзисторах
4.6.1. Средства измерения параметров пятнообразования
4.6.2. Автоматизированный контроль температурной границы
области безопасной работы мощных биполярных транзисторов
4.7. Выводы
Глава пятая. Экспериментальные исследования теплофизических
характеристик полупроводниковых изделий.
5.1 .Теплофизические характеристики мощных биполярных транзисторов
5.1.1. Зависимости температурного коэффициента прямого
падения напряжения на эмитгерном переходе от тока и температуры
5.1.2. Зависимости тепловых параметров от параметров электрического режима и температуры корпуса
5.1.3. Термодеформации транзисторных структур
5.2. Влияние внешних факторов на условия и параметры локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах
5.2.1. Зависимость параметров локализации тока от температуры.
5.2.2. Оценка параметров горячих пятен.
5.2.2. Влияние проникающих излучений
5.3. Теплофизические характеристики стабилитронов
5.4. Теплофизические характеристики цифровых интегральных схем
5.5. Выводы
Глава шестая. Влияние тепловых параметров полупроводниковых изделий на характеристики электронных устройств
6.1. Усилители с симметричным включением биполярных транзисторов
6.1.1. Искажения тепловой природы в дифференциальном каскаде.
6.1.2. Искажения тепловой природы в двухтактных усилителях
6.2. Тепловые переходные процессы в транзисторных ключах
6.3. Погрешности тепловой природы измерительных преобразователей
с дифференциальным включением датчиков
6.4. Выводы
Глава седьмая. Контроль качества полупроводниковых изделий по теплофизическим характеристикам
7.1. Физикотехнические основы обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий
7.1.1. Причины, механизмы и статистические закономерности проявления отказов полупроводниковых изделий.
7.1.2. Методы неразрушающего контроля
7.2. Контроль качества мощных биполярных транзисторов.
7.2.1. Отказы мощных транзисторов при электротермотренировке.
7.2.2. Отбраковка по переходным тепловым характеристикам
7.2.3. Контроль качества по тепловому сопротивлению
7.2.4. Оценка качества по параметрам тепловой неустойчивости
7.3. Контроль качества полупроводниковых диодов
7.4. Контроль качества интегральных микросхем.
7.4.1. Контроль качества линейных интегральных схем
7.4.2. Контроль качества цифровых интегральных схем.
7.4.3. Оценка стойкости к повреждению цифровых интегральных схем при действии коротких импульсов напряжения.
7.5. Выводы
Заключение.
Литература
- Київ+380960830922