Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов

Содержание
Введение
Глава 1. Литературный обзор по мощного приборам Уу
применяемым в силовых интеллектуальных схемах
1.1 Интеллектуальные силовые интегральные схемы
1.2 Способы объединения маломощных и мощных частей схемы на одном кристалле.
1.3 Основные силовые приборы, используемые в качестве ключа
1.4 Особенности использования силовых МОП
транзисторов
1.5. Планарные силовые МОП транзисторы
1.6 Классификация методов самосовмещения
1.7 Применение моделирования при разработке полупроводниковых приборов
1.8 Выводы
Глава 2 Разработка методики моделирования мощных планарных МОПтранзисторов.
2.1 Обоснование необходимости применения приборнотехнологического моделирования при разработке приборов.
2.2 Структура и характеристики пакета Е ТСАО
2.3 Приборнотехнологическое моделирование мощных МОП транзисторов.
2.4 Выводы
Глава 3. Исследование влияния геометрии слоев структуры на электрофизические параметры прибора4
3.1 Структура МОПтранзисторов
3.2 Исследование влияния способа формирования локального окисла на пороговое напряжение.4
3.3 Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами мощного МОП транзистора
3.4 Выводы.
Глава 4. Моделирование структуры самосовмещенного пМОП транзистора
4.1 Структура самосовмещенного пМОП транзистора со спейсером
4.2 Структура самосовмещенного пМОП транзистора без спейсера.
4.3 Структура самосовмещенного пМОП с двумя локальными окислами.
4.4 Выводы8
Глава 5. Экспериментальная апробация конструктивно технологических решений
5.1 Технологический маршрут изготовления мощных МОП транзисторов с применением методов
самосовмещения.
5.2 Измерения электрических характеристик образцов мощных МОП транзисторов
5.3 Выводы
Заключение
Список используемых источников