- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga_2Se_3-GaAs и In_2Se_3-InAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
6738 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Роль электронной структуры в статическом отклике и электронном рассеянии на поверхности металла
- Кристаллографические, энергетические и кинетические свойства собственных точечных дефектов и их кластеров в ОЦК железе
- Получение и исследование наноалмазных пленок
- Структура магнитного потока в материалах со сверхпроводящим и магнитным упорядочением
- Низкоэнергетичные электронные переходы и оптические фононы в полупроводниковых фазах La2 CuO4+x и фуллерите C60
- Электрически-активные дефекты в нанокристаллических пленках оксидов переходных металлов
- Структурные превращения в аморфных сплавах на основе кобальта и железа, индуцированные ионным облучением
- Изучение структуры и свойств покрытий на основе переходных металлов и их карбидов, полученных с помощью концентрированных потоков энергии
- Ионолюминесценция и дефектообразование в широкощелевых кристаллах при воздействии тяжелых заряженных частиц
- Диэлектрическая релаксация в сегнетокерамических твердых растворах PMN-PZT