- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном
- Радиационное распухание металлов
- Закономерности диффузионно-дислокационных процессов и особенности разрушения кристаллов кремния и германия при высокочастотном механическом воздействии
- Теория и расчет газово-вакансионного распухания уранового металлического ядерного топлива
- Релаксационные и гистерезисные явления в монокристаллах Cu-Al-Ni с термоупругим мартенситным превращением
- Рентгенографический анализ кристаллических структур и их несовершенств при неразрешающихся дифракционных мультиплетах
- Дифракционные исследования атомного и магнитного порядка в антиферромагнетиках, наноструктурированных внутри пористых сред
- Самоорганизация и коллективные эффекты при неустойчивой пластической деформации кристаллов
- Динамические характеристики и валентные состояния ионов железа в функциональных металлоорганических соединениях
- Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики