- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование механизмов диффузии по границам зерен наклона в ГЦК металлах
- Некоторые вопросы теории поверхностных волн в кристаллах
- Высокосимметричные подрешетки в кристаллах ромбической сингонии и их проявление в структуре зонных и фононных спектров
- Структурные фазовые переходы в сегнетоэлектрических твердых растворах Li0.12Na0.88TayNb1-yO3 и их проявление в спектрах комбинационного рассеяния света
- Люминесцентные свойства ионов ER'3+ в аморфных силикатах, полученных методом плазмохимического осаждения диссертация ... кандидата физико-математических наук
- Фрактальная структура и некоторые физические свойства карбидсодержащих катодных депозитов
- Люминесценция кислородсодержащих кристаллов фторида лития, активированных ураном, при импульсном возбуждении
- Флуктуационные, термо- и электромеханические эффекты в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Влияние переменного электрического поля на распространение уединенных электромагнитных волн в полупроводниковых сверхрешетках
- Исследование характеристик основного состояния 3d-переходных металлов и их сплавов методом функционала электронной плотности