- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поля напряжений и свойства дуговых трещин и сдвигов
- Моделювання дефектоутворення під час вирощування бездислокаційних монокристалів кремнію
- Электрическое сопротивление нанокомпозитов аморфных сплавов Fe41 Co39 B20 и Co86 Ta12 Nb2 в матрице SiO n
- Структура, електричні та магнітні властивості інтеркальованого перехідними металами графіту
- Модификация свойств приповерхностных слоев стабилизированного диоксида циркония при ионном облучении
- Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора
- Исследование магнитной микроструктуры фторзамещенных ферритов методом ядерного гамма-резонанса
- Восстановление изображений внутренних структур сильнорассеивающих сред в трансмиссионной оптической томографии
- Особенности структурного разупорядочения быстрыми нейтронами атомно-упорядоченных сплавов и соединений
- Поляризация молекулы воды, закрепленной на поверхности диэлектрика