Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ
ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ. II
1.1. Электронные возбуждения в ЩГК II
... Автолокализованные дырки II
112. Экситоны в щелочногалоидных кристаллах
1.2. Электронные возбуждения в ЩГК с гомологической примесью.
1.3. Влияние примеси на образование и накопление радиационных дефектов в ЩГК V.
1.4. Задачи исследования.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИИ,
ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РАБОТЕ
2.1. Установка импульсной абсорбционной и люминесцентной спектрометрии
2.2. Обработка экспериментальных данных .
2.3. Объекты исследования.
ГЛАВА 3. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ ВБЛИЗИ
ПРИМЕСИ ИОДА V .
3.1. Короткоживущее поглощение В КС7 , наводимое
импульсом радиации
3.2. Эффективность захвата электронных возбуждений примесью иода
3.3. Люминесценция кристаллов К се V при импульсном возбуждении радиацией .
3.4. Механизмы процесса захвата электронных возбуждении примесью иода в кслц и
их эволюции
3.5. Природа полосы люминесценции на 3,4 эВ в
ГЛАВА. 4. ЗАХВАТ ЭЛЕКТРОННЫХ ВБУ2ЩЕНИИ ПРИМЕСЬЮ
БРОМА В КРИСТАЛЛАХ АаСеп И КСВп НО
4.1. Короткоживущее поглощение в i , наведенное импульсом электронов. НО
.4.2. Люминесценция кристаллов АаМВп при
импульсном возбуждении электронами
4.3. Короткоживущее поглощение, наведенное
импульсом электронов В Кб.вт
4.4. Люминесценция КИ.Вч при возбуждении импульсом электронов
ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ АНИОННОМ ПРИМЕСИ НА ОБРАЗОВАНИЕ И ЭВОЛЮЦИЮ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС
И М а
5.1, Влияние примеси иода на образование дефектов
в К.О .
5.2, Анализ результатов исследования процессов эволюции первичных дефектов в КС.7 .
5.3. Образование центров окраски в .i
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА