2
ОГЛАВЛЕНИЕ
стр,
ВВЕДЕНИЕ................................................ 6
ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТ1ИГА НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОКРИСТАЛЛОВ........................13
1.1. Уменьшение плотности одиночных дислокаций в результате высокотемпературного отжига
в "объеме" образца ............................ 13
1.1.1. Аннигиляция дислокаций ............ 13
1.1.2. Действие сил линейного натяжения .... 14
1.1.3. Реакции между дислокациями ............... 15
1.1.4. Экспериментальные результаты, свидетельствующие об уменьшении плотности одиночных дислокаций при высокотемпературном отжиге............................................. 16
1.1.4.1. Металлические кристаллы ............... 19
1.1.4.2. Ионные кристаллы ...................... 26
1.2. Поведение дислокационных границ при высокотемпературном отжиге кристаллов ..................... 35
1.2.1. Полигонизация в кристаллах ................ 35
1.2.2. Экспериментальное наблюдение
процесса полигонизации............................................. 36
1.2.3. Поля напряжений и энергия простых наклонных границ с малым углом разориентации.44
1.2.3.1. Граница бесконечных размеров .......... 44
1.2.3.2. Границаконечных размеров .............. 46
1.2.3.3. Взаимодействие одиночных дислокаций
с дислокационными стенками ............ 49
1.2.4. Россыпь неустойчивых дислокационных
границ......................................53
стр.
1.3. Поведение дислокационной подсистемы кристаллов в области предплавильных температур .... 59
1.4. Изменение дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов при изотермическом отжиге.................................. бб
ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРНЫХ ВРЕМЕН РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ АНСАМБЛЯХ ДИСЛОКАЦИЙ И ПОСТРОЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, ОПИСЫВАЮЩИХ ИЗМЕНЕНИЕ СО ВРЕМЕНЕМ ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ . . 76
2.1. Постановка задачи.............................. 78
2.2. Аннигиляция дислокаций с противоположно направленными векторами Бюргерса ................... 81
2.3. Захват одиночной дислокации свободным концом незавершенной границы .......................... 84
2.4. Россыпь незавершенных границ на одиночные дислокации.......................................... 90
2.5. Пристыковка-присоединение незавершенной
границы к целой _.............................. 91
2.6. Отстыковка - образование незавершенных
границ......................................... 92
2.7. Сравнение характерных времен релаксационных процессов....................................... 96
2.8. Кинетические уравнения, описывающие изменение со временем основных элементов дислокационной структуры................................. 97
Выводы.................. •• 10 2
ГЛАВА 3. ЭВОЛЮЦИЯ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ДЕФОРМИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНОГЛЛОВДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ В РЕНИМЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА . . ЮЗ
стр.
3.1. Постановка задачи................................. ЮЗ
3.2. Экспериментальные результаты ..................... 109
3.3. Оценки вкладов различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры . . . 115
3.4. Определение коэффициента самодиффузии ф и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций (Ур по результатам проведенных экспериментов .............................. 118
Выводы.................................................. 122
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ЭВОЛЮЦИИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРИ ПРЕД ПЛАВИЛЬНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ.......................123
4.1. Методика предплавильного отжига щелочно-галовдных монокристаллов ............................... 124
4.1.1. Условия, лежащие в основе разработки схемы установки для предплавильного
отжига монокристаллов ........................ 124
4.1.2. Конструкция установки для предплавильного отжига кристаллов .............................. 125
4.1.3. Выбор режимов работы и терморегулирования установки для предплавильного
отжига........................................ 130
4.2. Поведение дислокационной структуры щелочно-галовдных кристаллов при предплавилыюй температуре............................................. 134
4.2.1. Объекты и методика исследования .............. 135
4.2.2. Результаты и обсуждение ...................... 139
4.3. Анализ кинетики превращения конца незавершенной границы в россыпь хаотических
дислокаций......................................... 144
Выводы.................................................. 150
5
ГЛАВА 5. НЕКОТОРЫЕ ЭФФЕКТЫ, НАБЛЮДАЕМЫЕ В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, ПРОШЕДШИХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ .... 151
5.1. Возрастание предела текучести в приповерхностном слое монокристаллов в результате отжига 151
5.2. Формирование упрочненного приповерхностного слоя в монокристаллах LiF в процессе отжига и природа центров закрепления дислокаций . . . 157
5.3. Эволюция дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов |((Х в
процессе высокотемпературного отжига ...... 168
Выводы........................................... 178
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.......................................... 179
ПРИМЕЧАНИЯ.......................................... 181
ЛИТЕРАТУРА.......................................... 182
6
ВВЕДЕНИЕ
На протяжении уже более пятидесяти лет проблема "дислокации и механические свойства кристалла" остается одной из центральных проблем физики реального кристалла, необходимость введения представления о дислокациях возникла в тупиковой ситуации, сложившейся в истории физики кристаллов и заключавшейся в том, что сдвиговые напряжения, которые обнаруживаются в опытах с реальными кристаллами, оказались на порядки меньшими, чем те, которые следовали из теоретического расчета [I] . В основе этого расчета лежало представление о том, что сдвиговому возмущению подвержены одновременно все связи между атомами, расположенными с двух сторон от плоскости скольжения. Представление о краевой дислокации помогло преодолеть это противоречие. Именно благодаря этому успеху дислокации завоевали доверие при решении различных задач из области пластичности кристаллов.
Огромное количество экспериментальных и теоретических исследований, относящихся к обсуждаемой проблеме, было посвящено развитию методов экспериментального обнаружения дислокаций, измерению и вычислению констант, определяющих кинетику одиночных дислокаций, выяснению общих закономерностей поведения дислокаций в ансамблях, выяснению закономерностей взаимодействия дислокаций с подсистемами точечных дефектов и примесных атомов.
Из всех перечисленных аспектов проблемы менее иных были изучены закономерности поведения различного рода неупорядоченных дислокационных ансамблей. Строго говоря речь идет о различных проявлениях процесса релаксации напряжений рассыпанных дислокаций, организующихся и организованных дислокационных ансамблей. Имеющиеся в литературе сведения, относящиеся к обсуждаемому аспекту проблемы, главным образом относятся к чрезвычайно важному процессу
7
формирования полигональных стенок и степени их устойчивости. При этом многие важные закономерности взаимосвязи между релаксационным процессом и процессом формирования дислокационных структур, остались изучены в заведомо недостаточной степени.
Обратим внимание на некоторые, на наш взгляд, важные и недостаточно исследованные закономерности эволюции дислокационных структур. Заведомо недостаточно были исследованы те особенности поведения полигональных стенок, которые зависят от линейной плотности расположенных в них дислокаций. Не было ясности в вопросе о процессе поглощения формирующейся полигональной стенкой одиночных дислокаций, находящихся неподалеку от стенки, когда поля напряжений, созданных стенкой и дислокацией перекрываются. Недостаточно и неполно были изучены закономерности тех процессов, которые обусловлены близостью дислокаций и их ансамблей к поверхности кристалла. Значимость этого "поверхностного" аспекта проблемы весьма велика, так как речь идет о химических и физико-химических свойствах не только собственно поверхности, а и некоторого приповерхностного слоя, дислокационная структура которого существенно может отличаться от дислокационной структуры в "объеме" кристалла. Обратим внимание еще на одну проблему, которая нам представляется в высокой степени важной. Речь идет об особенностях эволюции дислокационной структуры в кристаллах при предплавильных температурах, когда константы, определяющие свойства дислокаций, обнаруживают аномалии.
Перечисленным выше аспектам обсуждаемой проблемы, главным образом и посвящены наши исследования, составившие содержание диссертационной работы.
Актуальность работы. Исследование эволюции дислокационных структур, как одной из разновидностей релаксационных процессов, происходящих в кристаллах, представляет большой интерес и в плане
8
чисто научном и в плане прикладном. Научная значимость такого рода исследований обусловлена тем, что они оказываются источником сведений о взаимосвязи между геометрией формирующихся структур и полями напряжений, создаваемых дислокацией, разрозненными дислокациями или их организованными ансамблями. В плане прикладном про* блема исследования эволюции дислокационных структур в условиях модельного эксперимента в высокой степени важна в связи с тем,что преобразование дислокационной структуры кристалла себя обнаруживает во многих макроскопических эффектах, таких как пластичность, различные явления дислокационного массопереноса, к числу которых относятся прессование, спекание, химикотермическая обработка и др.
Предмет исследования диссертационной работы - процесс самопроизвольного преобразования дислокационных структур, которому сопутствует релаксация полей упругих напряжений. Этот процесс себя обнаруживает во взаимодействии процесса россыпи и формирования упорядоченных дислокационных ансамблей, являющихся этапом на пути к минимизации избыточной энергии кристалла, обусловленной дислокационной подсистемой.
Объект и методы исследования. В качестве объекта исследования нами были выбраны щелочногалоидные монокристаллы (ЩГМ) в связи с двумя обстоятельствами. Во-первых, применительно к ЩГМ развита весьма простая и надежная методика обнаружения дислокаций. Кроме того, простота кристаллической решетки ЩГМ во многих случаях дает возможность довести до конца интерпретацию формирующихся дислокационных структур. Сказанное дает основание утверждать, что ЩГМ являются весьма удобным модельным объектом для выяснения закономерностей эволюции дислокационных структур в процессе отжига.
При проведении исследований мы пользовались техникой высокотемпературных отжигов, техникой травления на дислокации при комнатных температурах. Широко нами также применялись теорфизические
9
расчеты, необходимые для истолкования наблюдавшихся структур, и особенностей ИХ ЭВОЛЮЦИИ.
Цель работы состояла в том, чтобы на оптически прозрачных, модельных щелочногалоидных монокристаллах,варьируя условия их термической обработки, проследить за теми закономерностями эволюции дислокационных структур, которые должны оказаться общими и для иных кристаллов - металлов, полупроводников и др.
Структура работы, работа состоит из двух частей. Первая часть -литературный обзор - включает в себя первую главу. В ней рассмотрены различные механизмы уменьшения плотности одиночных дислокаций и поведение дислокационных границ при высокотемпературном отжиге кристаллов. Сделан обзор оригинальных работ, посвященных изучению влияния отжига на эволюцию дислокационной подсистема кристаллов с различным типом связи: ионных, металлических, полупроводниковых. Вследствие того, что дислокации, находящиеся в "объеме" образца и вблизи поверхности, находятся в существенно неодинаковых условиях,работы, в которых изучалась дислокационная структура приповерхностного слоя отделены от работ, в которых изучались дислокации в "объеме". Описан цикл работ, относящихся к изучению поведения дислокационной подсистемы в области предплавильных температур; отмечается, что в рамках дислокационной модели плавления можно ожидать предплавильных аномалий, наблюдавшихся экспериментально.
Вторая часть - оригинальная. Она состоит из четырех глав (главы 2 - 5).
Во второй главе проанализированы основные релаксационные процессы, протекающие в дислокационной подсистеме кристалла при свободном изотермическом отжиге. Получены аналитические выражения для характерных времен , соответствующих релаксационных процессов. Эти выражения устанавливают связь между , констан-
10
тами материала и параметрами дислокационной структуры. Проведенный анализ позволяет предсказывать на основании имеющейся дислокационной структуры протекание этапов ее эволюции. Построены кинетические уравнения, определяющие эволюцию дислокационной структуры и позволяющие оценить вклады, соответствующие различным релаксационным процессам.
В третьей главе проведено детальное экспериментальное изучение временных зависимостей основных элементов дислокационных структур, состоящих из счетных дислокационных границ и одиночных хаотических дислокации, на основании полученных в гл.2 кинетических ■ уравнений была проведена оценка вкладов рассмотренных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры. Используя экспериментально установленные временные зависимости основных характеристик дислокационной структуры, были выполнены оценки коэффициента диффузии и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций.
В четвертой главе экспериментально изучалось поведение дислокационных структур в условиях предпяавильного отжига. Было установлено, что кинетика образования незавершенных границ в ЩГМ при пред-плавильных температурах определяется аномально высокими скоростями диффузионного восхождения дислокаций. Проанализирована возможность образования россыпи хаотических дислокаций у конца незавершенной границы.
В пятой главе экспериментально изучена кинетика образования упрочненного приповерхностного слоя в ЩГМ. прошедших высокотемпературный отжиг. Установлено, что ответственными за торможение дислокаций в этом слое являются агрегаты комплексов, образующихся в результате взаимодействия примесных двухвалентных катионов и диффундирующих в кристалл ионов кислорода. Исследована эволюция дислокационной структуры приповерхностного слоя монокристаллов КС£
II
при высокотемпературном отжиге. Обнаруженное изменение плотности дислокация объяснено диффузией примеси в кристалл из окружающей атмосферы.
На защиту выносятся следующие основные результаты:
1. Построено аналитическое описание различных этапов эволюции дислокационной структуры, которой сопутствует общее понижение упругой энергии системы дислокаций в кристалле. Найдены выражения, определяющие соответствующие времена релаксации.
2. Экспериментально изучено изменение со временен различных элементов дислокационной структуры, состоящей из одиночных дислокаций и счетных дислокационных границ. Оценены вклады различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры.
3. Исследованы особенности поведения дислокационных ансамблей при предплавильных температурах, когда константы, определяющие взаимодействие между дислокациями, обнаруживают предплавильные аномалии.
4. Изучены особенности эволюции дислокационных структур в приповерхностных слоях монокристаллов, обусловленные наличием свободной границы и окружающей газовой атмосферы. Обнаружено абсорбционное упрочнение приповерхностного слоя.
Научная новизна. Впервые, на основании углубленного анализа основных релаксационных процессов в дислокационной подсистеме и проведенных расчетов записаны выражения для характерных времен этих процессов, включающие параметры дислокационной подсистемы и константы материала, разработан подход, позволяющий предсказывать вероятность протекания процесса отстыковки дислокационных границ. Впервые построена система кинетических уравнений, описывающих эволюцию дислокационной структуры при возврате , и позволяющая оценить вклады различных релаксационных процессов. На основании экспериментального изучения поведения ансамбля дислока-
гг
ций при высокотемпературном отжиге и полученных кинетических уравнений были проведены оценки вкладов различных релаксационных процессов в высокотемпературную эволюцию дислокационного ансамбля. Выполнены оценки коэффициента диффузии и напряжения сопротивления консервативному движению дислокаций. Установлено, что предпла-вильная кинетика формирования незавершенных дислокационных границ в ЩГМ определяется ано?*альным возрастанием коэффициента самодиф-фузии. Впервые установлено, что в приповерхностном слое примесных ЩГМ, прошедших высокотемпературный отжиг, уменьшается подвижность дислокаций, то есть наблюдается упрочнение.
Практическая ценность работы. В результате проведенных экспериментов и расчетов получены существенно новые данные, относящиеся к вопросу о высокотемпературной эволюции ЩГМ, которые вносят определенный вклад в построение физической теории прочности и пластичности, а также в решение ряда задач, относящихся к различным явлениям дислокационного массопереноса - прессованию, спеканию и др.
Изученное влияние отжига на степень структурного совершенства кристаллов позволяет также ввдать практические рекомендации, направленные на улучшение качества выпускаемых промышленностью кристаллов.
Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на: I) Восьмой Всесоюзной конференции по физике прочности и пластичности металлов и сплавов (Куйбышев, 1976 г.); 2) Шестой международной конференции по росту кристаллов (Москва, 1980 г.).
Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 работ.
Диссертация содержит страниц текста, 53 рисунка , {
таблицу. Список литературы состоит из {20 наименования, помещенных на {1 страницах.
13
ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА
ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОКРИСТАЛЛОВ
Образование дислокаций в кристалле приводит к повышения его упругой энергии, поэтому, в принципе, кристалл будет стремиться избавиться от дислокаций и тем самым перейти в состояние термодинамического равновесия. Конечно, энергетическая выгода избавления кристалла от дислокаций является необходимым, но не достаточным условием: реализация этого процесса требует ряда определенных условий. Для уменьшения упругой энергии кристалла, связанной с наличием линейных дефектов,существует два пути: во-первых,уменьшить плотность дислокаций; во-вторых, перестроить уже имеющуюся в кристалле дислокационную структуру в конфигурации, обладающие минимальной энергией. В предлагаемой главе будут проанализированы указанные возможности и приведены экспериментальные результаты, свидетельствующие об их реализации. Так как имеется существенное различие в поведении дислокаций вблизи поверхности и в глубине кристалла, го в обзоре эволюция дислокационной структуры в приповерхностных слоях и в "объеме" кристалла будет рассмотрена отдельно.
1.1. уменьшение плотности одиночных дислокаций в результате свободного высокотемпературного отжига в "объеме" образца
Рассмотрим причины, которые могут привести к уменьшению плотности одиночных дислокаций.
1.1.1. Аннигиляция дислокаций
При повышенных температурах подвижность дислокаций достаточно высока и дислокации противоположного знака, находящиеся в одной плоскости скольжения, под действием полей напряжений будут при-
14
тягиваться друг к другу до полной аннигиляции пары. Из двух полуплоскостей образуется одна полная атомная плоскость, т.е. два линейных дефекта взаимно уничтожат друг друга. Однако аннигиляция чистым скольжением при не очень больших плотностях дислокаций ( р/. юб см ) реализуется довольно редко, так как пар дислокаций с противоположными векторами Бюргерса, лежащими в одной плоскости скольжения, в общем, немного. Более реален случай, когда две разноименные дислокации не лежат в одной плоскости скольжения, но расстояние между их плоскостями скольжения невелико. В этом случае аннигиляция происходит в результате скольжения и диффузионного переползания этих дислокаций.
Реализация одного акта аннигиляции двух дислокаций с противоположно направленными векторами Бюргерса приводит к понижению упругой энергии системы на величину с1Е ~ (з расчете на еди-
ницу длины дислокационной линии), где (3 - модуль сдвига, / -вектор Бюргерса.
Следует отметить, что рассмотренные случаи сильно идеализированы. Реально дислокационная линия имеет криволинейную форму весьма сложной конфигурации и процессы частичной или полной аннигиляции происходят более сложным образом.
1.1.2. Действие сил линейного натяжения
Аналогично со взаимодействием дислокаций между собой, взаимодействуют и отдельные отрезки одной произвольно ориентированной криволинейной дислокации. Эго происходит вследствие того, что на некоторый произвольный участок дислокационной линии действуют силы, создаваемые другими участками. Рассмотренная в [2] задача о поведении слегка волнистой краевой дислокационной линии с периодом /{ (смещение прямой линии от оси волнистой линии составляет токе ^ ) показывает, что полная энергия такой дислокации
T5
отличается от энергии прямолинейной дислокации (соединявшей края волнистой линии) на величину : cLE={[
где Ъ0 - радиус ядра дислокации, $ - коэффициент Пуассона, -разность между длиной волнистой дислокационной линии и длиной прямой линии, соединявшей края волнистой. Следовательно, искривленная дислокационная линия менее стабильна, чем прямолинейная и будет стремиться выпрямиться. Точно гак же, как отмечается в [3] , дислокационная петля радиуса ~ Ц сжимается под действием силы линейного натяжения Cf) численно равной упругой энергии отнесенной к единице длины: Т= ШЪTU-ftU«-lu . В пре-
дельном случае такое сжатие дислокационной петли приводит к ее исчезновенив.
I.I.3. Реакции между дислокациями
Уменьшение упругой энергии кристалла может произойти и в результате прохождения дислокационных реакций, в кристаллах с решеткой типа /у/flCt могут происходить дислокационные реакции трех видов [4,5j . Эти реакции могут привести к образованию одной
дислокации вместо двух вступающих во взаимодействие. Приведем виды возможных реакций:
I. jloli] + ff Oil) — Q.f 001]
2- fro m + fern - finoi
3- « + fr<oij ~-%nni
Реакция I соответствует взаимодействию между двумя дислокациями, которые находятся в перпендикулярных плоскостях скольжения, а реакции 2 и 3 - между дислокациями в наклонных плоскостях скольжения.
В соответствии с критерием Франка, реакция между двумя дисло-
10
кадиями с векгорами Бюргерса ^ и £2 , приводящая к образованию одной дислокации с вектором Бюргерса ^ , идет с выигры-
шем энергии, если энергия образовавшейся дислокации меньше,чем суммарная энергия двух дислокаций вступивших в реакцию, т.е.:
л « 5
ё1 +£г > 6$ . Реакция между дислокациями энергетически не выгодна, если: • Реализация реакции 3 малове-
роятна, так как она сопровождается увеличением энергии (энергия дислокаций, пропорциональная о} , заменяется энергией, пропорциональной Зсё/г. ). При прохождении реакции I нет выигрыша в упругой энергии и поэтому определяющую роль здесь должно играть соотношение между энергиями ядер дислокаций, вступающих в реакцию и образующихся в результате ее прохождения, которое в общем-го неизвестно. Реализация реакции 2 энергетически выгодна (энергия дислокаций ~ заменяется энергией ~ 0^/2. ). поэтому этот тип реакций и может, по-видимому, осуществляться в кристаллах. Следует отметить, что подтверждение протекания реакции 2 было получено в [5,6] . На рис.1.1 представлена схема изменения вица дислока-
ций, происходящего при протекании реакции 2.
Укажем еще два процесса, которые могут привести к уменьшению плотности одиночных дислокаций при отжиге - эго полигонизация, т.е. процесс превращения хаотических одиночных дислокаций в упорядоченную структуру полигональной стенки и еыход дислокаций из кристалла через его поверхность под действием сил зеркального отображения. Действие этих двух механизмов будет рассмотрено ниже, соответственно в 1.2 и 1.4.
1.1.4. Экспериментальные результаты, свидетельствующие об уменьшении плотности одиночных дислокаций при высокотемпературном отжиге
Рассмотренные выше данные о процессах уменьшения плотности
17
дислокаций в кристаллах позволяют сделать вывод о главном условии повышения подвижности дислокаций, которое должно привести к уменьшению их плотности. Так как аннигиляция и действие поверхностного натяжения есть процессы термоактивируемые, то таким условием является достаточно высокая температура процесса, которая увеличивает подвижность дислокаций и дает возможность проявиться одному или нескольким механизмам уменьшения плотности хаотических дислокаций.
Высокотемпературный отжиг обычно включает в себя три этапа: нагрев, изотермическую выдержку и охлаждение. Следует отчетливо представлять, что некорректные режимы нагрева и охлаждения, а также значительные колебания температуры во время изотермической выдержки могут привести к искажению результатов эксперимента, « к увеличению плотности дислокаций вследствие возникающих термоупругих напряжений, релаксация которых может привести к размножению дислокаций, на эту опасность указывал еще Гилман [7] для щелочногалоидных монокристаллов, в монокристаллах цр ,закаленных от 600°С, величина f оказалась равной 6*10^ см~^ при значении
с „р
ее в исходных кристаллах 10 см ; г.е. форсированное охлаждение (закалка.), сопровождаемое значительными те.рмоупругими напряжениями, приводило к увеличению плотности дислокации более чем на два порядка. Вместе с тем, в этой же работе показано, что монокристаллы фтористого лития можно термообработагь практически не меняя в них плотности дислокаций, если применять медленные нагрев и охлаждение, таким образом, варьируя скорости нагрева и охлаждения, можно получить промежуточные величины плотности дислокация от "закалочной" до исходной.
Этот результат указывает на то, что при тщательно подобранных условиях отжига можно, в общем, не только избежать генерирования новых дислокаций, но дать возможность проявиться процессам умень-
- Київ+380960830922