- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
237
Артикул:
181643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
- Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
- Исследование контактов металл-фосфид галлия и разработка УФ фотоприемников на их основе
- Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
- Исследование динамических режимов работы газовых сенсоров с целью повышения их избирательности
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
- Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы