- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
83
Артикул:
181843 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
- Транспортные свойства углеродных наноструктур на основе графита и многостенных нанотрубок
- Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры
- Поглощение акустических волн в диэлектрических кристаллах с примесями
- Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
- Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
- Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе