Ви є тут

Явления в низкоомных туннельных переходах, обусловленные инжекцией квазичастиц и эффектом Джозефсона

Автор: 
Невирковец Иван Петрович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1984
Кількість сторінок: 
160
Артикул:
182026
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
1. НЕЕАВНОВЕСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДАХ.
1.1. Виды неравновесных состояний сверхпроводника
1.2. Влияние квазичастичной туннельной инжекции
на сверхпроводник.
1.2.1. Эксперимент. Модель ГреяВиллемсена .
1.2.2. Модели неравновесного состояния сверхпроводника
1.3. Нестационарное состояние распределенного джозефсоновского перехода .
2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ
2.1. Технология напыления пленок и создания туннельного барьера
2.2. Получение двойных туннельных переходов
2.3. Экспериментальная установка и методика измерений.
2.4. Краткие выводы.
3. НЕУСТОЙЧИВОСТЬ И НЕОДНОРОДНОЕ СОСТОЯНИЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК ОЛОВА ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ИНЖЕКЦИИ 2Ае .
3.1. Явление неустойчивости на ВАХ низкооыных туннельных переходов при V 2Ае
3.2. Изменение тока неустойчивости в магнитном поле
3.3. Неоднородное состояние сверхпроводника как следствие развития неустойчивости .
3.4. Механизм неустойчивости и образования неоднородного состояния .
3.5. Некоторые особенности неоднородного состояния
.при. напряжении инжекцип 12Де
3.6. Краткие выводы
4. 0С0БЕНН0СЖ ВАХ НИЗКООМНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕЕЕХОДОВ
ПРИ НАПРЯЖЕНИЯХ 2Ае .
4.1. Асимметрия ВАХ в магнитном поле .
4.2. Влияние собственного магнитного поля на ВАХ низкоомных туннельных переходов
4.3. Краткие выводы
5. ПРИМЕНЕНИЕ НИЗКООМНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ В
НЕКОТОРЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВАХ .
5.1. Квитерон
5.2. Вихревой транзистор .
5.3. Краткие выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА