Введение.
1. Стационарный эффект Джозефсона в сверхпроводящих структурах с полупроводниковой прослойкой
1.1. Методы теоретического анализа стационарного тока в слабосвязанных сверхпроводящих структурах.
1.2. Общее выражение для джозефсоновсвого тока структуры
1.3. Критический ток контакта в случае
чистого полупроводника.
1.4. Критический ток контакта в случае
грязного полупроводника учет примесного рассеяния куперовских пар .
1.5. Обсуждение результатов. 2
2. Флувтуационнне явления в контактах
2.1. Флуктуационные явления в полупроводниках. .
2.2. Теория критического тока с учетом флуктуаций
типа канала.
2.3. Вклад резонанснолерколяционных траекторий в критический ток контакта . Н
2.4. Обсуждение результатов
3. Нестационарный эффект Джозефсона в сверхпроводящих структурах с полупроводниковой прослойкой5
3.1. Вывод обшей формулы для сверхпроводящего тока .
3.2. Риделевские особенности тока при резонансном туннелировании
3.3. Обсуждение результатов
4. Сопоставление с экспериментом
4.1. Основные экспериментальные результаты исследования эффекта Джозефсона в контактах
обзор литературы
4.2. Сопоставление развитой теории о экспериментом .
Выводы ЮО
Список использованной литературы
- Київ+380960830922