- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1985
Кількість сторінок:
128
Артикул:
182263 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
- Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
- Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур
- Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца
- Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы
- Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
- Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
- Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах