- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1985
Кількість сторінок:
128
Артикул:
182263 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О
- Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
- К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах
- Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур
- Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
- Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
- Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии