Оглавление
Оглавление
Введение
Глава 1. Расчеты сегиетоэлектрических свойств и динамики решетки
ТОНКИХ ПЛЕНОК И ОБЪЕМНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ОКИСЛОВ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА
1.1. Твердые растворы
1.2.Метод расчета.
1.2.1 Обобщенная модель ГордонаКима
1.2.2. Приближение виртуального кристалла.
1.2.3. Метод эффективного гамильтониана.
1.3. Тонкие сегиетоэлектрические пленки.
Глава 2. Динамика решетки, сегнетоэлектрическая и амтисег
НЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ФАЗОВЫЙ
ПЕРЕХОД В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ РвВ В О, В8с, вА, Н Ьи ВПв,
12 1 2
2.1. Динамика решетки и сегнетоэлектрический фазовый переход в неупорядоченных твердых растворах
2.2. Лнтисегнетоэлектрическая неустойчивость в неупорядоченных твердых растворах
2.3. Динамика решетки и сегнетоэлектрический фазовый переход в
упорядоченных твердых растворах
Глава 3. Динамика решетки тонких пленок ВаТЮ3 и РвТЮ3 и пленок
НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СОЕДИНЕНИЙ РвВВгОэ В8с, Са, Гм, Ьи В 8,
3.1. Расчет динамики решетки и динамических свойств тонких пленок ВаТЮЗ, РЬТЮ3 и пленок неупорядоченных соединений РЬВВОз В8с, ва, 1п, Ьи ВМЬ, Та.
3.2. Динамика решетки для двумерной геометрии тонкой пленки.
Глава 4. РАСЧЕТ СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ.
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922