СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Зонная структура соединений РЬ,Х
1.2. Эффекты непараболичности .
1.3. Структура валентной зоны .
1.4. Влияние сильного легирования на свойства свободных
носителей в полупроводниках.
ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА .
2.1. Блоксхема экспериментальной установки
2.2. Обработка экспериментальных спектров
2.3. Характеристики образцов
ГЛАВА III. ЗАКОН ДИСПЕРСИИ СОЕДИНЕНИЙ РЬ.пЛе .
3.1. Получение зависимости к по спектрам
поглощения .
3.2. Сравнение закона дисперсии, полученного по экспериментальным спектрам с шестизонной
моделью
3.3. Применимость шестизонной модели к описанию
закона дисперсии соединений РЬ.х5пх
ГЛАВА У. СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ В ОБЛАСТИ ШЩЦАМЕНГАЛЬ
НОГО КРАЯ ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1. Эффект МоссаБурштейна в сильнолегированных полупроводниках
4.2. Спектры поглощения соединений РЬЬЛ5пх1е в условиях вырождения газа свободных
носителей .
4.3. Форма края поглощения сильнолегированных полупроводников
4.3.1. Влияние электронного рассеяния на форму края поглощения вырожденных полупроводников РЬ,Х БпхТ .
4.3.2. Роль обменного взаимодействия в формировании края поглощения вырожденных полупроводников .
4.4. Сдвиг края поглощения в сильнолегированных
полупроводниках
4.4.1. Сдвиг края поглощения вырожденных полупроводников РЬ,х8пхТе
442. Сужение запрещенной зоны в многодолинных сильнолегированных полупроводниках .
4.5. Особенности рассеяния носителей тока в соединениях РЬп.Те
ГЛАВА У. ПЛАЗМЕННОЕ ОТРАЖЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ
РЬ,х5пхТе .
5.1. Описание спектров плазменного отражения с
помощью теории Друде
5.2. Определение эффективной массы тяжелых
дырок .
5.3. ИК прозрачность газа свободных
носителей
ВЫВОДЫ .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922