- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
159
Артикул:
1000292719 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
- Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний
- Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами
- Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
- Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
- Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
- Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения