Релаксация зарядового состояния структур металл - диэлектрик - полупроводник в сильных электрических полях

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава I. Релаксация зарядового состояния М.ЦП
структур, методы контроля .
1.1 Процессы зарядовой деградации КДП
структур з сильных электрических полях
1.2. Исследование релаксирузсщих зарядов в МДЛструктурах
1.3. Методы, применяемые для исследования
релаксации зарядового состояния МДП
структур.
Выводы к главе I.
Глава II. Метод и установка исследования релаксации
г т
зарядового состояния МДПСтруктур в сильных электрических полях .
2.1. Метод исследования релаксации зарядового состояния МДПструксур на основе метода управляемой токовой нагрузки .
2.2.Установка для измерения параметров релаксирухмцих зарядов в сильных электрических полях.
2.3. Установки, используемые для исследования релаксации зарядового состояния МДП
струкгур
Выводы к главе II
Глава III. Исследование релаксации зарядов в структурах ББСЬа и 85ОгФССА в сильных электрических полях .
3.1. Исследование релаксации зарядового состояния МДПструктур ii2 в сильных электрических ПОЛЯХ
3.2. Исследование релаксации зарядового состояния структур ii после сильнополевой туннельной инжекиии
3.3. Исследование релаксации зарядового состояния МДПструктур в сильных электриче. ских полях после воздействия протонного излучения
Выводы к главе Г ГI.
Глава IV. Применение метода контроля релаксирукхцих
зарядов э производстве МДПИС
4.1. Сравнительное исследование зарядовой деградации МДПструктур при облучении протонами и воздействии сильных электрических полей.
4.2. Влияние технологических факторов на релаксацию зарядового состояния МДПструктур в сильных электрических полях .
4.3. Контроль релаксации зарядового состояния в производстве КДПИС
Вызоды к главе IV.
Заключение. Основные результаты и выводы .
Литература