- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs<bi>
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
164
Артикул:
135041 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование комплексообразования ионов галлия и вольфрама в оксиднохлоридных расплавах методами ИК и электронной спектроскопии
- Сорбция аминосоединений в системах, содержащих комплексообразователь, в условиях газожидкостной хроматографии
- Конформационный анализ нуклеозидов, нуклеотидов и динуклеотидов с помощью спектроскопии ЯМР
- Формообразование кристаллов Bi4 Ge3 O12 (BGO) при росте из расплава в условиях низких градиентов температуры
- Структурные свойства концентрированных водных растворов хлоридов Li, Na, K в широком диапазоне параметров состояния
- Электрохимические процессы в системах на основе серы, литированных оксидов кобальта и их смесей
- Влияние кислородной нестехиометрии, условий термообработки и замещений элементов на электрофизические свойства сверхпроводящих фаз Bi2Sr2CaCu2O8+δ и YBa2Cu3O7-δ
- Структура и энергетические характеристики молекул борогидридов урана и циркония, некоторых диалкилзамещенных комплексов цинка и молекулы фенилтридейтеростаннана
- Пинцерные комплексы никеля с о-семихиноновыми лигандами
- Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства