Оглавление
Введение
Глава 1. Проблемы создания гетероструктур на основе ваИ.
1.1 Преимущества белых СД.
1.2 Вопросы, связанные с повышением яркости в СД с люминофорами.
1.3 Анализ спектров фотолюминесценции,
электролюминесценции, электроотражения гетероструктур на основе ОаЫ.
1.4 Дефекты в пленках нитридов 1 группы
1.5 Оптические свойства легированных слоев СаП
1.6 Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах
на основе СаЫ
1.7 Внутренние и внешние поля в структурах с квантовыми
1.8 Выводы по главе.
Глава 2. Оптические характеристики.
2.1 Спектральные характеристики коэффициента пропускания
2.2 Экспериментальная установка для измерения спектральных характеристик
2.3 Коэффициент полезного действия и спектры электролюминесценции светодиодов на основе рпгетероструктур 1пСаЫАЮаЫСаКт белого свечения
2.4 Выводы по
Глава 3. Вольт амперные характеристики структуры на основе
пСаМАЮаШЗаН
3.1 Описание экспериментальной установки для измерения вольт амперных характеристик.
3.2 Вольт амперные характеристики структуры на основе ГпСЗаМАЮаЫСгаК Механизмы токопереноса.
3.3 Выводы по главе.
Глава 4. Вольт фарадные характеристики структуры на основе ЬЮаЫАЮаЖЗаК
4.1 Описание экспериментальной установки для измерения вольт фарадных характеристик.
4.2 Вольт фарадные характеристики структуры на основе образец 2.
4.3 Поглощение света в структуре на основе 1пСаЫАЮаЫСаЫ образец 2
4.4 Вольт фарадные характеристики структуры на основе 1пСаЫАЮаЫОаЫ образец 1
4.5 Выводы по главе.
Глава 5. Определение параметров рекомбинационных центров
5.1 Определение параметров рекомбинационных уровней но приведенной скорости
5.2 Определение параметров рекомбинационных уровней по
зависимости сри
5.3 Теоретическое определение температурных зависимостей энергии активации.
5.4 Выводы по главе.
Заключение
Научная новизна полученных результатов
Практическая значимость полученных результатов
Положения, выносимые на защиту
Список литературы
- Київ+380960830922